IXYS 的 PolarP2? 功率 MOSFET 采用 IXYS 的專有 PolarP2 技術(shù)平臺(tái)制造，是具有低導(dǎo)通電阻和柵極電荷優(yōu)化組合的改進(jìn)型器件，實(shí)現(xiàn)了低至 12 Ω/nC 的 FOM（品質(zhì)因數(shù)：Rdson x Qg）。 該 PolarP2 功率 MOSFET 系列分為兩類，既為終端客戶帶來更高的系統(tǒng)設(shè)計(jì)靈活性，又提供了選擇最佳性能和成本組合的機(jī)會(huì)。 這兩類器件分別是 PolarP2 高性價(jià)比標(biāo)準(zhǔn)版和 PolarP2 HiPerFET? 高性能版。

憑借出色的性能、節(jié)能效果、堅(jiān)固耐用的設(shè)計(jì)和高性價(jià)比，這些第二代 Polar 系列功率 MOSFET 能夠在如功率轉(zhuǎn)換中高頻逆變器和太陽能發(fā)電之類應(yīng)用中開發(fā)出更有效率的電源子系統(tǒng)。 這些器件也非常適合用于電信開關(guān)/諧振模式電源和 UPS、基站、服務(wù)器和服務(wù)器農(nóng)場以及高能效消費(fèi)電器。 其它能獲益于這些器件的應(yīng)用包括功率因數(shù)校正電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、燈鎮(zhèn)流器、激光驅(qū)動(dòng)器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、機(jī)器人和伺服控制。