Wolfspeed的 CGHV96100F2 是采用碳化硅 (SiC) 基材的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。 這種氮化鎵內(nèi)匹配 (IM) 型 FET 相比其它技術(shù)具有出色的功率附加效率。 氮化鎵相比硅或砷化鎵具有出色的性能，包括更高的擊穿電壓、飽和電子漂移速度和導(dǎo)熱率。 相比砷化鎵晶體管，氮化鎵 HEMT 還具有更大的功率密度和更寬的帶寬。 這種 IM FET 采用金屬/陶瓷帶法蘭封裝，具有最佳的電氣和熱性能。