該系列P溝道器件利用了IXYS先進(jìn)溝槽單元技術(shù)帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)，這些技術(shù)通常在其業(yè)界公認(rèn)的功率器件產(chǎn)品組合中實(shí)施。它們具有超低導(dǎo)通電阻（R DSon）和柵極電荷（Qg），可最大限度地降低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)提高操作和熱效率。

這些器件非常適用于“高端”開(kāi)關(guān)應(yīng)用，其中可以采用以地為參考的簡(jiǎn)單驅(qū)動(dòng)電路，繞過(guò)使用N溝道MOSFET時(shí)通常涉及的額外“高端”驅(qū)動(dòng)器電路。這使設(shè)計(jì)人員能夠減少元件數(shù)量，從而提高驅(qū)動(dòng)電路的簡(jiǎn)單性和整體元件成本結(jié)構(gòu)。此外，這允許設(shè)計(jì)具有相應(yīng)IXYS N溝道MOSFET的互補(bǔ)功率輸出級(jí)，用于具有簡(jiǎn)單驅(qū)動(dòng)電路的功率半橋級(jí)。

IXTP32P05T（-50 V，-32 A，Qg = 46 nC，R DSon = 36 mOhms）和IXTP28P065T（-65 V，-28 A，Qg = 46 nC，R DSon= 45 mOhms）是一些例子，說(shuō)明了TrenchP?P溝道功率MOSFET系列提供的卓越電氣和熱效率。其他功能包括擴(kuò)展的正向偏置安全工作區(qū)（FBSOA），快速開(kāi)關(guān)性能和出色的雪崩功能。這些產(chǎn)品可用于支持額定電壓和電流范圍為-50 V至-150 V和-18 A至-140 A的應(yīng)用。封裝選項(xiàng)包括標(biāo)準(zhǔn)低成本通孔TO-220和表面貼裝TO-263封裝?？蓮倪@些器件中獲益的常見(jiàn)應(yīng)用包括高側(cè)或負(fù)載開(kāi)關(guān)，DC / DC轉(zhuǎn)換器，高電流調(diào)節(jié)器，DC斬波器，CMOS高功率放大器，推挽式放大器和功率固態(tài)繼電器。