Texas Instruments LM5145 75 V 同步降壓控制器設(shè)計用于調(diào)節(jié)高輸入電壓源或受到高電壓瞬變影響的輸入軌，從而最大限度地減少對外部浪涌抑制元件的需求。高壓側(cè)開關(guān)最小導(dǎo)通時間為 40 ns，有助于降低降壓比，實現(xiàn)從 48 V 標(biāo)稱輸入到低壓軌的直接降壓轉(zhuǎn)換，從而降低系統(tǒng)復(fù)雜性和解決方案成本。如果需要，LM5145 可在輸入電壓驟降至 6 V 期間以接近 100% 占空比持續(xù)工作，非常適合高性能工業(yè)控制、機器人、數(shù)據(jù)通信和射頻功率放大器應(yīng)用。

強制 PWM (FPWM) 操作消除了頻率變化從而實現(xiàn)最小化 EMI，而用戶可選擇的二極管仿真功能降低了輕負(fù)載條件下的電流消耗。逐周期過流保護(hù)通過測量低壓側(cè) MOSFET 上的電壓降或使用可選的電流檢測電阻來實現(xiàn)。高達(dá) 1 MHz 的可調(diào)開關(guān)頻率能與外部時鐘源同步，以消除噪聲敏感應(yīng)用中的拍頻。

LM5145 電壓模式控制器以適用于標(biāo)準(zhǔn)閾值 MOSFET 的可靠 7.5 V 柵極驅(qū)動器驅(qū)動外部高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道功率開關(guān)。具有 2.3 A 灌入和 3.5 A 拉出能力的自適應(yīng)定時柵極驅(qū)動器可在開關(guān)轉(zhuǎn)換期間最大限度地減少體二極管導(dǎo)通，從而降低開關(guān)損耗，并提高在高輸入電壓和高頻率下驅(qū)動 MOSFET 時的散熱性能。LM5145 可以通過開關(guān)穩(wěn)壓器的輸出或另一個可用的電源供電，從而進(jìn)一步提高效率。

相對于 SYNCOUT 內(nèi)部振蕩器的 180° 異相時鐘輸出是級聯(lián)或多通道電源的理想選擇，可降低輸入電容紋波電流和 EMI 濾波器尺寸。LM5145 的附加功能包括一個可配置的軟啟動，用于故障報告和輸出監(jiān)控的開漏功率良好監(jiān)視器，單調(diào)啟動到預(yù)偏置負(fù)載，集成 V CC 偏置電源調(diào)節(jié)器和陰極負(fù)載二極管，外部電源跟蹤，用于可調(diào)節(jié)線路欠壓鎖定 (UVLO)、具有滯后的精密啟用輸入，打嗝模式過載保護(hù)和自動恢復(fù)熱關(guān)斷保護(hù)。

LM5145 控制器采用 3.5 mm x 4.5 mm 熱增強型 20 引腳 VQFN 封裝，可提供高壓引腳和可潤濕側(cè)翼的額外間距，用于焊接接頭角片的光學(xué)檢測。