小封裝 - 巨大的性能提升

     在 100 V 電壓下，eGaN FET 的 RDS(ON) x 芯片面積是最新硅晶 MOSFET 的 4 倍之多

     在 200 V 電壓下，該優(yōu)勢猛增到 16 倍

提升了品質因數(shù) (FOM)

     最新一代 eGaN FET 在 100 V 電壓下的優(yōu)勢為硅晶器件的四倍，而在 200 V 電壓這種優(yōu)勢達到了 8 倍，適用于在高頻電源轉換應用中提升開關性能。

應用從性能提升中獲得很大益處

     例如，在 48 V 至 5 V 電路中以及 500 kHz 開關頻率下，100 V EPC2045 相比最具競爭力的MOSFET，功率損耗減少了 30% 且能效提高了 2.5%。