EPC 推出 MOSFET 價(jià)格的具有 GaN 性能的器件。
今天 GaN 面臨著一個(gè)極速增長期，因?yàn)椴捎眠@種材料的半導(dǎo)體為各個(gè)公司創(chuàng)造出了主要業(yè)績和成本優(yōu)勢。 GaN 的增長源自于對現(xiàn)有硅器件的替代和全新應(yīng)用，這是其出色的性能成就的結(jié)果。