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AS4C512M16D3L 高速、低壓 CMOS DDR3L SDRAM
Alliance Memory 推出 AS4C512M16D3L 單片高速、低壓 CMOS 雙倍數(shù)據(jù)速率 3 同步 DRAM（AS4C512M16D3L High-Speed, Low-Voltage CMOS DDR3L SDRAM）
發(fā)布時(shí)間：2018-06-14
Alliance Memory 的 AS4C512M16D3L 單片高速、低壓 CMOS 雙倍數(shù)據(jù)速率 3 同步 DRAM (DDR3L SDRAM) 采用 8GB 密度 96 焊球、9 mm x 14 mm、無鉛 (Pb) FBGA 封裝。該單芯片器件帶有最小的芯片散熱器，為大量類似解決方案提供了一種可靠的直接替代式、引腳對(duì)引腳兼容的替代品。它們配套采用了新一代微處理器，廣泛用于各種工業(yè)、醫(yī)療、網(wǎng)絡(luò)、電信和航空航天應(yīng)用，無需昂貴的重新設(shè)計(jì)和零件重復(fù)鑒定。這種 8 GB DDR3L 是既需要增加存儲(chǔ)空間又面臨著板空間限制的應(yīng)用的邏輯選擇。
AS4C512M16D3L 高速、低壓 CMOS DDR3L SDRAM特性
采用 96 焊球、9 mm x 14 mm、無鉛 (Pb) FBGA 封裝
由 Micron Technology 提供的先進(jìn)硅器件
高達(dá) 1600 Mbps/引腳和 800 MHz 時(shí)鐘速率的極快傳輸速率
采用商業(yè)擴(kuò)展溫度范圍（0°C 至 +95°C）和工業(yè)溫度范圍（-40°C 至 +95°C）
內(nèi)部配置為 8 組 64 M x 16 位（參數(shù) 512 M x 16）存儲(chǔ)空間
使用 +1.35 V 單電源供電
全同步工作
可編程讀或?qū)戔Оl(fā)長(zhǎng)度為 4 或 8
自動(dòng)預(yù)充電功能可在猝發(fā)序列結(jié)束時(shí)啟動(dòng)自定時(shí)的行預(yù)充電
易于使用的刷新功能包括自動(dòng)刷新或自主刷新
可編程模式寄存器允許系統(tǒng)選擇最適合的模式，從而最大限度提升性能
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 產(chǎn)品型號(hào) | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價(jià)格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | AS4C512M16D3L-12BIN | MRAM磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器-存儲(chǔ)器 | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA | 在線訂購(gòu) | |
| | AS4C512M16D3L-12BCN | MRAM磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器-存儲(chǔ)器 | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA | 在線訂購(gòu) |
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