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高速 CMOS x32 SDRAM
Alliance Memory 的 CMOS x 32 SDRAM （High-Speed CMOS x32 SDRAMs）支持 -40 °C 至 +85 °C 的工業(yè)溫度范圍
發(fā)布時間：2018-06-14
Alliance Memory 的 2M x 32（AS4C2M32SA-6TIN 和 AS4C2M32S-6BIN)、4M x 32（AS4C4M32SA-6TIN 和 AS4C4M32S-6BIN）和 8M x 32（AS4C8M32S-6TIN 和 AS4C8M32S-6BIN）高速 CMOS 同步 DRAM (SDRAM) 支持 -40 °C 至 +85 °C 的工業(yè)溫度范圍。在需要高存儲帶寬的產(chǎn)品中，這些器件成為大量類似解決方案可靠的插入式引腳兼容替代品。
高速 CMOS x32 SDRAM特性
采用 90 焊球、8 mm x 13 mm x 1.2 mm、TFBGA 封裝
2 M x 32 和 4 M x 32 器件同時提供 86 引腳 400 mil 塑料 TSOP II 封裝
8M x 32 器件同時提供 54 引腳 TSOP II 封裝
提供商業(yè)或工業(yè)額定溫度范圍：
0 °C 至 70 °C（AS4C2M32SA-6&7TCN/AS4C4M32SA-6&7TCN/AS4M32S-6BIN 和 AS4C8M32S-7TCN/AS4C8M32S-7BCN）
-40 °C 至 +85 °C（AS4C2M32SA-6TIN/AS4C2M32S-6BIN、AS4C4M32SA- 6TIN/AS4C4M32S-6BIN 和 AS4C8M32S-6TIN/AS4C8M32S-6BIN）
快速時鐘訪問時間：低至 5.4 ns
快速時鐘速率：143 MHz 和 166 MHz（8M x 32、4M x 32 和 2M x 32）
可編程的讀或寫猝發(fā)長度：1、2、4、8 或帶猝發(fā)終止選項的全頁面
自動預充電功能可在猝發(fā)序列結束時啟動自定時的行預充電
易于使用的刷新功能包括自動刷新或自主刷新
可編程模式寄存器允許系統(tǒng)選擇最適合的模式，從而最大限度提升性能
高速 CMOS x32 SDRAM應用
工業(yè)
商業(yè)
醫(yī)療
電信
網(wǎng)絡產(chǎn)品
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊 | 產(chǎn)品型號 | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | AS4C2M32S-6BIN | 其他存儲器-存儲器 | 2M x 32 bit Synchronous DRAM (SDRAM)，具有快速訪問時間和高時鐘速率，支持完全同步操作，內部流水線架構，四個內部bank，可編程模式，多種突發(fā)長度和類型，適用于需要高帶寬的應用。 | 在線訂購 | |
 | | AS4C2M32SA-7TCN | 其他存儲器-存儲器 | 64Mb SDRAM 是一種高速CMOS同步DRAM，內部配置為四組512K x 32 DRAM，每個512K x 32位的bank組織為2048行 x 256列 x 32位。讀寫訪問以選定位置開始，并按照編程的序列繼續(xù)訪問多個位置。 | 在線訂購 | |
| | AS4C2M32S-7BCN | 其他存儲器-存儲器 | 2M x 32 bit Synchronous DRAM (SDRAM)，具有快速訪問時間和高時鐘速率，支持完全同步操作，內部流水線架構，四個內部bank，可編程模式，多種突發(fā)長度和類型，適用于需要高帶寬的應用。 | ￥30.12120 | 在線訂購 |
| | AS4C2M32SA-6TIN | 其他存儲器-存儲器 | 64Mb SDRAM 是一種高速CMOS同步DRAM，內部配置為四組512K x 32 DRAM，每個512K x 32位的bank組織為2048行 x 256列 x 32位。讀寫訪問以選定位置開始，并按照編程的序列繼續(xù)訪問多個位置。 | 在線訂購 | |
| | AS4C2M32SA-6TCN | 其他存儲器-存儲器 | 64Mb SDRAM 是一種高速CMOS同步DRAM，內部配置為四組512K x 32 DRAM，每個512K x 32位的bank組織為2048行 x 256列 x 32位。讀寫訪問以選定位置開始，并按照編程的序列繼續(xù)訪問多個位置。 | ￥29.51640 | 在線訂購 |
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