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AS4C8M16S-7BCN 和 AS4C16M16S-7BCN 高速 CMOS SDRAM
Alliance Memory 的 256 MB SDRAM （AS4C8M16S-7BCN and AS4C16M16S-7BCN High-Speed CMOS SDRAMs）是包含 128 Mb 和 256 Mb?存儲空間的高速 CMOS 同步 DRAM
發(fā)布時間：2018-06-14
Alliance Memory 的 AS4C8M16S-7BCN 和 AS4C16M16S-7BCN 高速 CMOS 同步 DRAM (SDRAM) 具有 128 MB 和 256 MB 密度，采用 54 焊球 8 mm x 8 mm x 1.2 mm TFBGA 封裝。該器件為大量類似解決方案提供了一種可靠的、可直接替代的、引腳兼容型替代品。
AS4C8M16S-7BCN 和 AS4C16M16S-7BCN 高速 CMOS SDRAM特性
低至 4.5 ns 時鐘、5 ns 時鐘周期的快速訪問時間
143 MHz 的快速時鐘速率
內(nèi)部配置為 4 組 2 M 字 x 16 位 (AS4C8M16S-7BCN) 和 4 M 字 x 16 位 (AS4C16M16S-7BCN) 存儲空間，帶有同步接口
1、2、4、8 或全頁面可編程讀或?qū)戔Оl(fā)長度，帶有猝發(fā)端接選擇
易于使用的刷新功能包括自動刷新或自主刷新
可編程模式寄存器允許系統(tǒng)選擇最適合的模式，從而最大限度提升性能
自動預充電功能可在猝發(fā)序列結(jié)束時啟動自定時的行預充電
單一 +3.3 V (±0.3 V) 電源
無鉛 (Pb)、無鹵素
AS4C8M16S-7BCN 和 AS4C16M16S-7BCN 高速 CMOS SDRAM應用
需要高存儲帶寬的醫(yī)療、工業(yè)、汽車和電信應用
高性能 PC 應用
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊 | 產(chǎn)品型號 | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | AS4C16M16S-7BCN | MRAM磁性隨機存儲器-存儲器 | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA | 在線訂購 |
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊 | 產(chǎn)品型號 | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| | AS4C8M16S-7BCN | MRAM磁性隨機存儲器-存儲器 | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA | 在線訂購 |
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