
高速 CMOS SDRAM

Alliance Memory 提供 2 M x 32 位和 4 M x 32 位同步 DRAM (High-Speed CMOS SDRAMs)
發(fā)布時間:2018-06-14
Alliance Memory 擴展了其 64 M 和 128 M SDRAM 產(chǎn)品線,推出 2 M x 32 AS4C2M32S 和 4 M x 32 AS4C4M32S 器件。 高速 CMOS 同步 DRAM (SDRAM) 采用 90 焊球 8 mm x 13 mm x 1.2 mm TFBGA 封裝和 86 引腳 400 mil 塑料 TSOP II 封裝。 對于要求高存儲器帶寬的產(chǎn)品中的大量類似解決方案,這些器件無疑是可靠的插入式、引腳對引腳兼容型替代品。
高速 CMOS SDRAM特性
時鐘喚醒時間縮短至 5.4 ns
快速時鐘速率:143 MHz 和 166 MHz
商用溫度范圍 0°C 至 70°C
采用 +3.3 V (±0.3 V) 單電源工作
可編程讀或?qū)戔Оl(fā)長度為 1、2、4、8 或全頁面,且可選猝發(fā)端接
自動預(yù)充電功能可在猝發(fā)序列結(jié)束時啟動自定時的行預(yù)充電
易于使用的刷新功能包括自動刷新或自主刷新
可編程模式寄存器允許系統(tǒng)選擇最適合的模式,從而最大限度提升性能
無鉛 (Pb)、無鹵素
高速 CMOS SDRAM應(yīng)用
工業(yè)
電信
消費類產(chǎn)品
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊 | 產(chǎn)品型號 | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | | AS4C2M32S-6BIN | 其他存儲器-存儲器 | 2M x 32 bit Synchronous DRAM (SDRAM),具有快速訪問時間和高時鐘速率,支持完全同步操作,內(nèi)部流水線架構(gòu),四個內(nèi)部bank,可編程模式,多種突發(fā)長度和類型,適用于需要高帶寬的應(yīng)用。 | 在線訂購 | |
![]() | | AS4C4M32SA-7TCN | MRAM磁性隨機存儲器-存儲器 | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | 在線訂購 | |
![]() | | AS4C4M32S-7BCN | 其他存儲器-存儲器 | 128Mb AS4C4M32S SDRAM 是一款高速 CMOS 同步 DRAM,內(nèi)部配置為四組 1M x 32 DRAM。具有快速訪問時間(5.4/5.4 ns)和高時鐘速率(166/143 MHz)。支持完全同步操作,內(nèi)部流水線架構(gòu),可編程模式,自動刷新和自刷新功能。 | ¥49.80450 | 在線訂購 |
![]() | | AS4C2M32SA-7TCN | 其他存儲器-存儲器 | 64Mb SDRAM 是一種高速CMOS同步DRAM,內(nèi)部配置為四組512K x 32 DRAM,每個512K x 32位的bank組織為2048行 x 256列 x 32位。讀寫訪問以選定位置開始,并按照編程的序列繼續(xù)訪問多個位置。 | 在線訂購 | |
![]() | | AS4C2M32S-7BCN | 其他存儲器-存儲器 | 2M x 32 bit Synchronous DRAM (SDRAM),具有快速訪問時間和高時鐘速率,支持完全同步操作,內(nèi)部流水線架構(gòu),四個內(nèi)部bank,可編程模式,多種突發(fā)長度和類型,適用于需要高帶寬的應(yīng)用。 | ¥30.12120 | 在線訂購 |
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