EPC 的 GaN 基差分模式開發(fā)板的工作頻率可達(dá) 30 MHz。 這些評估板易于使用，能讓電源系統(tǒng)設(shè)計人員輕松評估氮化鎵晶體管的出色性能，快速實現(xiàn)產(chǎn)品批量生產(chǎn)。 這些開發(fā)板專為諸如無線充電等 E 類應(yīng)用而設(shè)計，但也可用于采用低壓側(cè)開關(guān)的任何應(yīng)用。 具體實例包括推挽式轉(zhuǎn)換器、D 類放大器、電流模式雙向開關(guān)、如 LiDAR 之類通用高電壓窄脈沖寬度應(yīng)用等。
這些開發(fā)板采用額定電壓為 200 V 的 eGaN FET。 放大器設(shè)置為在差分模式下工作，而且可以重新配置為單端工作模式；包含柵極驅(qū)動器和邏輯電源穩(wěn)壓器。 這三種板均具有常見的偏好規(guī)范。 工作負(fù)載條件（包括配置）決定最佳設(shè)計負(fù)載電壓和電阻。