EPC 的 EPC2029 80 V, 31 A eGaN FET 采用 1 mm 焊球間距，是其新型“Relaxed Pitch”系列的首款產(chǎn)品。  較大的間距允許更換器件下方的其它較大通孔，從而在 4.6 mm x 2.6 mm 這樣極小的基底面內(nèi)也能實(shí)現(xiàn)高載流能力。
與先進(jìn)的硅功率 MOSFET 相比，EPC2029 具有類似導(dǎo)通電阻，而尺寸卻要小得多并且具有勝過(guò)前者許多倍的開(kāi)關(guān)性能。  EPC2029 是許多應(yīng)用的理想器件，如高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、DC/DC 和 AC/DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和 D 類音頻等應(yīng)用。
為簡(jiǎn)化這款最新高性能 eGaN FET 的評(píng)估過(guò)程，EPC9046 開(kāi)發(fā)板在一個(gè)半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中采用兩個(gè) EPC2029 eGaN FET 并配備板載柵極驅(qū)動(dòng)器。  EPC9046 開(kāi)發(fā)板包括所有關(guān)鍵性元件，可輕松地對(duì) EPC2029 進(jìn)行“在線”性能評(píng)估；該板采用能夠?qū)崿F(xiàn)最優(yōu)開(kāi)關(guān)性能的布局，并預(yù)留了添加降壓型輸出濾波元件的空間。