EPC 開發(fā)板的尺寸為 11" x 12"，含兩個排列成半橋配置的增強模式 (eGaN?) 場效應(yīng)晶體管 (FET)，并配有板載 Texas Instruments LM5113 柵極驅(qū)動器。 該開發(fā)板旨在通過優(yōu)化布局來簡化評估過程，以及在單塊板上包含所有關(guān)鍵元件，從而輕松連接任何現(xiàn)有轉(zhuǎn)換器。
增加散熱和強制風(fēng)冷可大幅提升這些器件的電流等級，但必須注意不得超過芯片的絕對最高溫度 150°C 。