EPC 宣布，利用間距更寬的高性能芯片級封裝來擴充其 eGaN 功率晶體管產(chǎn)品組合陣容，以便簡化大批量制造，實現(xiàn)可以兼容成熟制造工藝和裝配線的更強兼容能力。 我們?yōu)?80 V EPC2029 器件增加了三款全新器件，其電壓為 40 V (EPC2030)、60 V (EPC2031) 和 100 V (EPC2032)。
EPC2030/31/32 增強模式功率晶體管采用 1 mm 焊球間距，擴大了 EPC 的“寬松間距”器件系列陣容。 較大的間距允許在器件下方放置其它較大通孔，從而在 4.6 x 2.6 mm 這樣極小的基底面內(nèi)也能實現(xiàn)高載流能力。 與具有相似導通電阻的先進硅功率 MOSFET 相比，這些產(chǎn)品不但體積更小，而且具有勝過前者許多倍的開關(guān)性能。 這些產(chǎn)品是許多應(yīng)用的理想器件，如高頻 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、DC/DC 和 AC/DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流、電機驅(qū)動器和 D 類音頻等應(yīng)用。