EPC 的開發(fā)板采用單片半橋拓撲結構和板載柵極驅動器，具有 EPC2100/1/5 eGaNICs（增強模式氮化鎵集成電路）。 這些開發(fā)板旨在通過優(yōu)化布局并在單個板上包含能方便連接至任何現(xiàn)有轉換器的所有關鍵元件，來簡化這些集成式單片 eGaN FET 的評估過程。
開發(fā)板尺寸為 2"x 2"，包括 1 個采用半橋配置的 eGaNIC，使用 Texas Instruments LM5113 柵極驅動器、電源和旁路電容器。 該開發(fā)板包含實現(xiàn)最佳開關性能所需的全部關鍵元件和布局，并且提供輔助空間用于在板上增加降壓輸出濾波元件。 此外，還有提供各種探測點，以便測量簡單波形測量和效率計算。