EPC 的第 4 代 eGaN FET 具有更低的導通電阻、更低的電容、更高的電流和卓越的熱性能，使得電源轉換器的能效高達 98% 以上。 全新系列 eGaN FET 將電阻 (RDS(ON)) 削減了一半，實現(xiàn)了高電流、高功率密度應用。 這一最新一代 eGaN FET 相比上一代還將硬開關的品質因數(shù) (FOM) 降低了一半，從而提升了高頻功率轉換應用中的開關性能。 擴展 GaN 至 30 V 的性能優(yōu)勢能夠在隔離式電源、PC 和服務器中實現(xiàn)高功率 DC-DC 轉換器、負載點 (POL) 轉換器和同步整流器。