
EPC2100 晶體管和 EPC9036 開(kāi)發(fā)板

EPC 的單片式 eGaN? 半橋(EPC2100 Transistors and EPC9036 Dev Board)
發(fā)布時(shí)間:2018-06-14
來(lái)自EPC 的增強(qiáng)模式單片半橋 GaN 晶體管進(jìn)一步拉開(kāi)了 eGaN?技術(shù)與傳統(tǒng)硅器件的能效距離。 單片半橋器件節(jié)省了空間,提高了效率并降低了系統(tǒng)成本。
提高效率 - 單片半橋器件消除了互連電感,實(shí)現(xiàn)了更高的能效——尤其是在更高的頻率下。
節(jié)省板空間 - 單片器件節(jié)省了 PCB 上 60% 的功率級(jí)空間。
簡(jiǎn)化了 GaN - 單片器件提高了生產(chǎn)效率,同時(shí)還降低了裝配成本。
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