
LDMOS射頻功率晶體管

Ampleon的LDMOS射頻功率晶體管(LDMOS RF Power Transistors)專為最惡劣的工程環(huán)境而設(shè)計
發(fā)布時間:2018-06-14
專為最苛刻的工程環(huán)境而設(shè)計,Ampleon's50 V XR LDMOS RF功率晶體管在真實條件下提供無與倫比的堅固性。它們提供更高的輸出功率和簡化的設(shè)計,同時降低系統(tǒng)成本并消除有害物質(zhì)的使用。XR產(chǎn)品組合提供21世紀(jì)的解決方案,也取代了傳統(tǒng)的基于VDMOS的設(shè)備。XR系列完全值得擁有“極其堅固”的稱號,在最嚴苛的負載不匹配條件下提供穩(wěn)定性和無與倫比的堅固性能。這使其成為ISM頻段中苛刻(kW),專業(yè),智能RF能量應(yīng)用(點燃等離子和激光,同步加速器和MRI)的理想選擇。它還為地面廣播提供了實際功率和效率提升。在FM無線電發(fā)射器中提供最高效率的解決方案(由雙面ESD二極管實現(xiàn)),XR器件還為IBOC數(shù)字無線電,VHF-TV和其他線性應(yīng)用提供了出色的可校正線性性能和預(yù)失真特性。憑借無與倫比的性能,Ampleon的XR系列可幫助您在未來的RF設(shè)計方面取得進展。
LDMOS射頻功率晶體管特性
極其堅固的高功率輸出功率高達1400 W
在嚴重的不匹配條件下具有出色的穩(wěn)定性
由于采用全平面匹配結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)緊湊,易于制造
由于新的雙側(cè)ESD二極管結(jié)構(gòu)具有更大的負電壓范圍,因此改進了C類操作
降低系統(tǒng)成本
取代VDMOS并消除有害物質(zhì)
LDMOS射頻功率晶體管應(yīng)用
地面廣播系統(tǒng)
調(diào)頻發(fā)射器
IBOC數(shù)字廣播
VHF電視
ISM應(yīng)用程序
點燃等離子和激光
同步加速器
核磁共振成像








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