
EPC2018 150 V eGaN? FET

Efficient Power Conversion 提供高性能 EPC2018 150 V?eGaN? FET(EPC2018 150 V eGaN? FET)
發(fā)布時間:2018-06-14
EPC 的 EPC2018 氮化鎵功率晶體管可提供高頻率開關(guān)功能,可在 DC-DC 電源轉(zhuǎn)換和 D 類音頻應(yīng)用中實現(xiàn)卓越的性能。
EPC2018 是 5.76 mm2、150 VDS、12 A 器件,在 5 V 電壓施加于柵極時可以獲得 25 毫歐姆最大 RDS(on)。 這種氮化鎵功率晶體管因其超高開關(guān)頻率、極低 RDS(on)、 極低 QG 以及較小的封裝而能實現(xiàn)較高性能。
能夠受益于 eGaN FET 性能的應(yīng)用包括高速 DC-DC 電源、負載點轉(zhuǎn)換器、D 類音頻放大器、功率無線傳輸、射頻包絡(luò)跟蹤以及硬切換和高頻電路。
EPC2018 150 V eGaN? FET特性
超高能效
超小基底面
超低 RDS(on)
超低 QG








上傳BOM

