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SUM70101EL 100 V P 溝道 MOSFET
Vishay 推出一種 P 溝道 MOSFET（SUM70101EL 100 V P-Channel MOSFET），可降低功耗和傳導(dǎo)損耗并實(shí)現(xiàn)功率密度提升
發(fā)布時(shí)間：2018-06-13
Vishay Siliconix 的 SUM70101EL MOSFET 具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的 RDS(ON)（-10 V 時(shí) 0.0101 ?、-4.5 V 時(shí) 0.015 ?），這會(huì)最大限度降低傳導(dǎo)損耗并提升效率。
SUM70101EL 100 V P 溝道 MOSFET特性
TrenchFET? 功率 MOSFET
低熱阻封裝
結(jié)溫最高 175°C
低 RDS(ON) 將傳導(dǎo)損耗降至最低
兼容邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)
通過(guò)了 100% Rg 和 UIS 測(cè)試
SUM70101EL 100 V P 溝道 MOSFET應(yīng)用
電池保護(hù)
電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制
負(fù)載開(kāi)關(guān)
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 產(chǎn)品型號(hào) | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價(jià)格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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