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BLF7G24L功率LDMOS晶體管
Ampleon晶體管（BLF7G24L Power LDMOS Transistor）具有出色的熱穩(wěn)定性，專為低記憶效應而設(shè)計
發(fā)布時間：2018-06-14
Ampleon專為LTE基站而設(shè)計，內(nèi)置業(yè)界領(lǐng)先的Gen7 LDMOS，高度DPD友好型晶體管覆蓋2.3至2.4 GHz的整個頻率范圍。它們實現(xiàn)了非對稱的Doherty設(shè)計，可實現(xiàn)44％和15 dB的增益效率。
射頻功率器件市場領(lǐng)導者Ampleon利用其堅固耐用的Gen7 LDMOS技術(shù)生產(chǎn)這些射頻功率晶體管，針對LTE 2.3至2.4 GHz應用進行了優(yōu)化。這些陶瓷晶體管設(shè)計用于在非對稱Doherty電路中協(xié)同工作，提供同類最佳的效率。在這種配置中，BLF7G24L（S）-100用作主放大器，BLF7G24L（S）-140用作峰值放大器。
兩款器件均具有出色的熱穩(wěn)定性，專為低記憶效應而設(shè)計。這導致了出色的數(shù)字預失真（DPD）能力。這些器件還包括集成的ESD保護，并符合有關(guān)有害物質(zhì)限制（RoHS）的指令2002/95 / EC。
BLF7G24L功率LDMOS晶體管特性
由于高效的Doherty電路，降低了基站的能耗
非常一致的器件性能，可實現(xiàn)最佳制造產(chǎn)
經(jīng)過現(xiàn)場驗證的堅固性和可靠性
出色的熱穩(wěn)定性
由于記憶效應低，易于線性化
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊 | 產(chǎn)品型號 | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | BLF7G24LS-100,112 | MOSFETs-晶體管 | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT502B | 在線訂購 | |
| | BLF7G24LS-140,112 | MOSFETs-晶體管 | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B | 在線訂購 |
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