
寬帶功率LDMOS晶體管

Ampleon的RF功率推挽晶體管(Broadband Power LDMOS Transistor)是作為多功能設(shè)備開發(fā)的,其中考慮了廣播和ISM應(yīng)用
發(fā)布時間:2018-06-14
Ampleon的BLF645是作為多功能設(shè)備開發(fā)的,其中考慮了廣播和ISM應(yīng)用。該器件基于Ampleon的32 V LDMOS技術(shù),無與倫比,在1至1400 MHz的頻率范圍內(nèi),在18 dB增益和56%漏極效率下?lián)碛?gt; 100 W P1dB輸出功率。該封裝采用推挽式,以優(yōu)化寬帶操作。
對于頻率范圍為10 MHz至3.8 GHZ的功率放大器,RF橫向擴散MOS(LDMOS)晶體管因其出色的功率容量,增益,效率,線性度,可靠性和低成本而成為技術(shù)的既定選擇。該技術(shù)還可用于廣播和ISM(工業(yè),科學(xué)和醫(yī)療)中的寬帶應(yīng)用,其中諸如帶寬,耐用性和熱阻等附加要求非常重要。
寬帶功率LDMOS晶體管特性
對于整個器件,CW性能為1300 MHz,漏源電壓V DS為32 V,靜態(tài)漏極電流I Dq = 0.9 A:
平均輸出功率= 100 W.
功率增益= 18 dB
排水效率= 56%
對于整個器件,1300 MHz的雙音性能,32 V 的漏源電壓V DS和靜態(tài)漏極電流I Dq = 0.9 A:
峰值包絡(luò)負(fù)載功率= 100 W.
功率增益= 18 dB
排水效率= 45%
互調(diào)失真= -32 dBc
集成ESD保護
出色的堅固性
高功率增益
高效率
卓越的可靠性
易于控制功率
符合RoHS(有害物質(zhì)限制)指令2002/95 / EC
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊 | 產(chǎn)品型號 | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | | BLF645,112 | MOSFETs-晶體管 | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 32V 900mA 1.3GHz 16.5dB 100W LDMOST | 在線訂購 |








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