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優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)
JESD204B Subclass 0或Subclass 1編碼串行數(shù)字輸出
信噪比(SNR):71.9 dBFS(185 MHz AIN,250 MSPS,NSR設(shè)為33%)
無雜散動(dòng)態(tài)范圍(SFDR):88 dBc(185 MHz AIN,250 MSPS)
總功耗:707 mW (250 MSPS)
1.8 V電源電壓
1至8整數(shù)輸入時(shí)鐘分頻器
采樣速率最高達(dá)250 MSPS
中頻采樣頻率最高達(dá)400 MHz
模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)內(nèi)置基準(zhǔn)電壓源
欲了解更多特性,請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè)
產(chǎn)品詳情
AD6673是一款11位、250 MSPS、雙通道中頻(IF)接收機(jī),專門針對(duì)要求高動(dòng)態(tài)范圍性能、低功耗和小尺寸的電信應(yīng)用中支持多天線系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
該器件包括兩個(gè)高性能模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)和噪聲整形再量化器(NSR)數(shù)字模塊。每個(gè)ADC由多級(jí)、差分流水線架構(gòu)組成,并集成了輸出糾錯(cuò)邏輯,每個(gè)ADC差分流水線的第一級(jí)包含一個(gè)寬帶寬開關(guān)電容采樣網(wǎng)絡(luò)。集成基準(zhǔn)電壓源可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。占空比穩(wěn)定器(DCS)補(bǔ)償ADC時(shí)鐘占空比的波動(dòng),使轉(zhuǎn)換器保持出色的性能。
各ADC的輸出內(nèi)部連接到NSR模塊。集成NSR電路能夠提高奈奎斯特帶寬內(nèi)較小頻段的信噪比(SNR)性能。該器件支持兩種不同的輸出模式,可通過SPI選擇。如果使能NSR特性,則在處理ADC的輸出時(shí),AD6673可以在有限的部分奈奎斯特帶寬內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的SNR性能,同時(shí)保持11位輸出分辨率。
可以對(duì)NSR模塊進(jìn)行編程,以提供采樣時(shí)鐘22%或33%的帶寬。例如,當(dāng)采樣時(shí)鐘速率為250 MSPS時(shí),在22%模式下,AD6673可以在55 MHz帶寬內(nèi)實(shí)現(xiàn)最高76.3 dBFS的SNR;在33%模式下,它可以在82 MHz帶寬內(nèi)實(shí)現(xiàn)最高73.5 dBFS的SNR。
禁用NSR模塊時(shí),ADC數(shù)據(jù)直接以11位的分辨率提供給輸出端。這種工作模式下,AD6673能夠在整個(gè)奈奎斯特帶寬內(nèi)實(shí)現(xiàn)最高65.9 dBFS的SNR。因此,AD6673可以用于電信應(yīng)用,例如要求更寬帶寬的數(shù)字預(yù)失真觀測(cè)路徑。
默認(rèn)情況下,ADC輸出數(shù)據(jù)可以直接路由至兩個(gè)外部JESD204B串行輸出通道,這些輸出設(shè)置為電流模式邏輯(CML)電平。支持兩種模式,使得輸出編碼數(shù)據(jù)可通過一個(gè)或兩個(gè)通道發(fā)送(L = 1;F = 4或L = 2;F = 2)。單通道操作支持最高125 MSPS的轉(zhuǎn)換器速率。器件提供同步輸入控制(SYNCINB±和SYSREF±)。
產(chǎn)品特色可配置JESD204B輸出模塊集成鎖相環(huán)(PLL),支持每通道最高5 Gbps的采樣速率(最多兩個(gè)通道)。
中頻接收機(jī)包括兩個(gè)11位250 MSPS ADC,ADC具有可編程的噪聲整形再量化器(NSR)功能,當(dāng)帶寬降低至采樣速率的22%或33%時(shí),它能提高信噪比。
支持可選RF時(shí)鐘輸入以簡(jiǎn)化系統(tǒng)板設(shè)計(jì)。
取得專利的差分輸入在最高至400 MHz的輸入頻率下仍保持出色的信噪比(SNR)性能。
片內(nèi)1至8整數(shù)輸入時(shí)鐘分頻器和SYNC輸入支持多器件同步。
采用1.8 V單電源供電。
標(biāo)準(zhǔn)串行端口接口(SPI)支持各種產(chǎn)品特性和功能,例如:控制時(shí)鐘DCS、關(guān)斷模式、測(cè)試模式、基準(zhǔn)電壓模式、超量程快速檢測(cè)以及串行輸出配置等。
應(yīng)用分集無線電系統(tǒng)
多模式數(shù)字接收機(jī)(3G)TD-SCDMA、 WiMax、 WCDMA、 CDMA2000、 GSM、 EDGE、 LTE
DOCSIS 3.0 CMTS上游接收路徑
HFC數(shù)字反向路徑接收器
I/Q解調(diào)系統(tǒng)s
智能天線系統(tǒng)
電子測(cè)試與測(cè)量設(shè)備
雷達(dá)接收機(jī)
COMSEC無線電架構(gòu)
IED檢測(cè)/干擾系統(tǒng)
通用軟件無線電
寬帶數(shù)據(jù)應(yīng)用

AD6673電路圖

AD6673 引腳圖
| 型號(hào) | 制造商 | 描述 | 購買 |
|---|---|---|---|
| AD6673BCPZRL7-250 | - | - | 立即購買 |
| AD6673BCPZ-250 | - | - | 立即購買 |
顯然,A機(jī)器發(fā)現(xiàn)對(duì)方與自己不是同一網(wǎng)段,試圖尋找網(wǎng)關(guān),但網(wǎng)關(guān)不存在,所以報(bào)主機(jī)不可達(dá),B上的Sniffer未抓到任何包,觀察網(wǎng)卡也是只發(fā)不收,顯然數(shù)據(jù)沒有出去。
隨著工業(yè)4.0、物聯(lián)網(wǎng)、AI大模型的迅猛發(fā)展,全球正加速進(jìn)入數(shù)智化時(shí)代。穩(wěn)定、安全、智慧的智慧電力系統(tǒng)成為數(shù)據(jù)中心、智能制造、新能源體系等新興產(chǎn)業(yè)持續(xù)增長(zhǎng)的重要保障。 據(jù)《2025-2031年中國(guó)電力運(yùn)維市場(chǎng)研究與前景趨勢(shì)報(bào)告》分析,未來電力運(yùn)維市場(chǎng)仍將保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),但隨著系統(tǒng)規(guī)模和復(fù)雜程度的增加,電力運(yùn)維的難度將不斷增大。 【痛點(diǎn)】 引入先進(jìn)的智慧運(yùn)維方案,助力企業(yè)降本增效、驅(qū)動(dòng)業(yè)務(wù)持續(xù)增長(zhǎng),企業(yè)需要解決四個(gè)核心問題:
電源排序可以防止損壞并延長(zhǎng)電源以及設(shè)計(jì)中任何敏感IC和FPGA的使用壽命。除了控制啟動(dòng)時(shí)序以控制電流消耗外,電源軌還需要保持在FPGA的耐壓要求范圍內(nèi)。隨著新工藝技術(shù)的出現(xiàn),這些容差變得更加嚴(yán)格,以至于可能需要3%的總內(nèi)核電壓容差。可以通過多種方式對(duì)系統(tǒng)中的電源進(jìn)行排序:
在電子電路設(shè)計(jì)和微型機(jī)控制系統(tǒng)中,數(shù)字地和模擬地是兩個(gè)至關(guān)重要的概念。它們分別服務(wù)于數(shù)字信號(hào)和模擬信號(hào),對(duì)系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性有著直接的影響。以下是關(guān)于數(shù)字地和模擬地的詳細(xì)解釋。
前言面對(duì)日益復(fù)雜的網(wǎng)絡(luò)環(huán)境和量子計(jì)算威脅,中國(guó)SD-WAN硬件廠商正以創(chuàng)新技術(shù)守護(hù)企業(yè)的數(shù)字生命線。隨著數(shù)字化轉(zhuǎn)型的深入,軟件定義廣域網(wǎng)(SD-WAN)技術(shù)已成為企業(yè)網(wǎng)絡(luò)的核心支撐。特別是在全球量子計(jì)算技術(shù)突破的背景下,傳統(tǒng)加密體系面臨顛覆性沖擊,SD-WAN的市場(chǎng)地位愈加重要。根據(jù)iCVTA&K研究數(shù)據(jù),2023年全球量子計(jì)算產(chǎn)業(yè)規(guī)模為47億美元,到203
選擇合適的交流電流監(jiān)測(cè)采集模塊,需圍繞“場(chǎng)景需求→核心參數(shù)→系統(tǒng)兼容→環(huán)境適配→成本售后”五大核心維度,結(jié)合實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景的優(yōu)先級(jí),如工業(yè)場(chǎng)景優(yōu)先抗干擾與精度,民用場(chǎng)景優(yōu)先成本與便捷性,逐步篩選,避免盲目追求參數(shù)而忽略實(shí)際適配性。 一、明確場(chǎng)景需求:鎖定核心應(yīng)用邊界 選型的第一步是精準(zhǔn)定位使用場(chǎng)景,明確模塊的“工作環(huán)境、監(jiān)測(cè)對(duì)象、管控目標(biāo)”,這是后續(xù)參數(shù)篩選的基礎(chǔ): 1. 明確監(jiān)測(cè)對(duì)象與量程 - 電流范圍:小電流
氮化鎵(GaN) 是由氮和鎵組成的一種半導(dǎo)體材料,因?yàn)槠浣麕挾却笥?.2eV,又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是藍(lán)色光發(fā)光器件中的一種具有重要應(yīng)用價(jià)值的半導(dǎo)體。GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn),是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。
超級(jí)電容器的充電過程是基于其獨(dú)特的雙電層結(jié)構(gòu)和電解質(zhì)的特性進(jìn)行的。
| AD7656 | AD5273 | AD7835 | ADN4605 |
| AD8273 | ADG738 | ADF7022 | ADC0844 |
| ADSP-BF700 | ADS7885 | ADRF5720 | ADT7470 |
| A41-43-24 | ADF7242 | AD8146 | ADG451 |
| ADM8698 | AD7861 | ADUM3472 | ADCMP580 |