優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

  1 pF關(guān)斷電容

  2.6 pF導(dǎo)通電容

  電荷注入小于1 pC

  電源電壓范圍：33 V

  導(dǎo)通電阻：120 Ω

  額定電源電壓：±15 V、+12 V

  無(wú)需 VL電源

  3 V邏輯兼容輸入

  軌到軌工作

  16引腳TSSOP和16引腳LFCSP封裝

  典型功耗：<0.03 μW

產(chǎn)品詳情

ADG1211/ ADG1212 / ADG1213均為單芯片互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件，內(nèi)置四個(gè)采用 iCMOS? （工業(yè)CMOS）工藝設(shè)計(jì)的獨(dú)立可選開(kāi)關(guān)。 iCMOS是一種模塊式制造工藝，集高電壓CMOS與雙極性技術(shù)于一體。利用這種工藝，可以開(kāi)發(fā)工作電壓達(dá)33 V的各種高性能模擬IC，并實(shí)現(xiàn)以往的高壓器件所無(wú)法實(shí)現(xiàn)的尺寸。與采用傳統(tǒng)CMOS工藝的模擬IC不同， iCMOS器件不但可以承受高電源電壓，同時(shí)還能提升性能、大幅降低功耗并減小封裝尺寸。

這些開(kāi)關(guān)具有超低電容和電荷注入特性，因而是要求低毛刺和快速建立時(shí)間的數(shù)據(jù)采集與采樣保持應(yīng)用的理想解決方案。較快的開(kāi)關(guān)速度及高信號(hào)帶寬，使這些器件適合視頻信號(hào)切換應(yīng)用。

iCMOS結(jié)構(gòu)可確保功耗極低，因而這些器件非常適合便攜式電池供電儀表。

ADG1211 / ADG1212 / ADG1213內(nèi)置四個(gè)獨(dú)立的單極/單擲(SPST)開(kāi)關(guān)。ADG1211和ADG1212的唯一不同之處就是數(shù)字控制邏輯相反。ADG1211開(kāi)關(guān)的接通條件是相關(guān)控制輸入為邏輯0，而ADG1212則要求邏輯1。ADG1213有兩個(gè)開(kāi)關(guān)的數(shù)字控制邏輯與ADG1211相似；但其它兩個(gè)開(kāi)關(guān)的控制邏輯則相反。ADG1213為先開(kāi)后合式開(kāi)關(guān)，適合多路復(fù)用器應(yīng)用。

當(dāng)接通時(shí)，各開(kāi)關(guān)在兩個(gè)方向的導(dǎo)電性能相同，輸入信號(hào)范圍可擴(kuò)展至電源電壓范圍。在斷開(kāi)條件下，達(dá)到電源電壓的信號(hào)電平被阻止。

  超低電容

  電荷注入小于1 pC。

  3 V邏輯兼容數(shù)字輸入：VIH = 2.0 V，VIL = 0.8 V。

  無(wú)需VL 邏輯電源。

  超低功耗：<0.03 μW。

  16引腳TSSOP和3 mm × 3 mm LFCSP封裝。

  自動(dòng)測(cè)試設(shè)備

  數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

  電池供電系統(tǒng)

  采樣保持系統(tǒng)

  音頻信號(hào)路由

  視頻信號(hào)路由

  通信系統(tǒng)