B59100M1140A070

產(chǎn)品信息

電路圖、引腳圖和封裝圖

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  B59100M1140A070 封裝圖

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• M8199B宇宙最強大的高速AWG

  998NEW1新品來襲ONE新品來襲—是德M8199B—M8199B是一個任意波形發(fā)生器，為R&D工程師提供任意信號的高性能信號源。M8199B為您提供速度、帶寬、精度和靈活性，以應對下一代

  2023-05-11
• 是德科技M8199B任意波形發(fā)生器榮獲訊石英雄榜光通信最具競爭力產(chǎn)品

  2022年9月，是德科技在ECOC上發(fā)布了全新一代AWG產(chǎn)品M8199B，新一代的M8199B將功率合路器和M8158A遠程頭做了重新設計，集成到了M8199B前面板里，提供 256GSa/s連續(xù)采樣率，模擬帶寬提升到80GHz。

  2023-01-12
• 碳化硅MOS B1M080120HC在車載OBC上的應用

  基本半導體推出的高性能碳化硅MOS，符合RoHS標準、無鉛、不含鹵素，非常適用于車載OBC體積及發(fā)熱要求較高的應用；B1M080120HC耐壓1200V，最大通過電流44A（T=100℃），導通電阻80mΩ；

  2022-11-16
• 1140W2-30MHz業(yè)余無線電線性放大器電路圖

  1140W2-30MHz業(yè)余無線電線性放大器電路圖

  2009-04-08
• M8199B宇宙最強大的高速AWG

  998NEW1新品來襲ONE新品來襲—是德M8199B—M8199B是一個任意波形發(fā)生器，為R&D工程師提供任意信號的高性能信號源。M8199B為您提供速度、帶寬、精度和靈活性，以應對下一代

  2023-05-11
• 安森美SiC MOSFET：NVBG070N120M3S解析與應用

  在電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET以其卓越的性能逐漸成為眾多應用的首選功率器件。今天我們來詳細探討安森美（onsemi）的一款SiC MOSFET——NVBG070N120M3S，它在汽車和工業(yè)應用中展現(xiàn)出了強大的競爭力。

  2025-12-03
• onsemi碳化硅MOSFET NVHL070N120M3S：性能剖析與應用展望

  在功率半導體領域，碳化硅（SiC）技術正逐漸嶄露頭角。今天，我們就來詳細剖析onsemi推出的一款碳化硅MOSFET——NVHL070N120M3S，看看它在實際應用中究竟有哪些獨特之處。

  2025-12-02
• 觀海微GH8555BL_BOE7.0(TV070WXU-NW0/BP070WX2-100)搭配原理及代碼

  觀海微GH8555BL_BOE7.0(TV070WXU-NW0/BP070WX2-100)搭配原理及代碼。

  2022-12-15

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