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高電容已經通過精密實現(xiàn)技術,使使用多個較薄的陶瓷的介電層。
單片結構保證了優(yōu)異的機械強度和可靠性。
高精度自動安裝是通過促進保養(yǎng)的非常精確的尺寸公差。
由唯一的陶瓷和金屬,這些電容器提供了極為可靠的性能,幾乎參展沒有甚至當經受極端溫度降解。
低雜散電容確保了高符合標稱值,從而簡化了電路設計過程。
低殘留電感,保證了優(yōu)異的頻率的特點。
由于靜電容量已獲得最多的電解電容的范圍,這些電容提供長期的服務生活,是最適合的電源設計,要求高水平的可靠性。
由于它們的低ESR和優(yōu)良的頻率特性,這些產品是最適合用于高頻率和高密度型電源

C1005C0G1H330J 封裝圖
探索RTK0EMA330C00000BJ:助力電機控制的MCB - RA6T3 CPU板 在電子工程師的日常工作中,電機控制評估是一個重要的領域。今天我就來和大家詳細介紹一款適用于電機控制評估
Anaren的X4C45J1-03G是款輕薄型、性能卓越的3dB混合耦合器,選用最新型表面貼裝技術封裝,使用便捷,有利于生產制造。X4C45J1-03G是專門針對5G應用而設
高精密電子儀器和通信系統(tǒng)的應用下,我們需要考慮不同封裝(貼片/直插)的石英晶振的電性能參數(shù)變化對系統(tǒng)的影響,包括C0/C1, CL,RR。
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昨日,型號為M2001J1E、M2001J1C 的小米5G新機獲3C認證,認證信息顯示這款小米5G新機最高支持66W快充
在5G的2B和2C之間,還有一個2H
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