FGD3N60LSD

制造商：ON

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應(yīng)用案例更多案例

• 輸出負(fù)載的反極性保護(hù)-（LSD）

  輸出負(fù)載的反極性保護(hù)-（LSD） 今天要談的東西有兩個(gè)，輸出負(fù)載的反極性保護(hù)，在前面已經(jīng)介紹過電源的反極性保護(hù)，鏈接如下：電源反接討論 負(fù)載，以燈

  2009-11-21
• 海為N60S2T系列PLC在綠色建筑生產(chǎn)線中的應(yīng)用設(shè)計(jì)

  工程機(jī)械多年的工作生涯，使我遇到了很多技術(shù)工作者，談心談國(guó)內(nèi)技術(shù)，談技術(shù)發(fā)展中國(guó)產(chǎn)材料對(duì)技術(shù)進(jìn)步的影響，每年都有不同的公司寄給我實(shí)驗(yàn)產(chǎn)品，有電子元件、有新材料、有控制主板、有單片機(jī)，當(dāng)然也有PLC，其中海...

  2018-08-15
• 海為N60S2T系列PLC在焊錫機(jī)中自動(dòng)控制設(shè)計(jì)

  項(xiàng)目要求能夠達(dá)到多種產(chǎn)品的兼容，多工藝的自由調(diào)節(jié)，直焊、側(cè)焊、運(yùn)動(dòng)焊多種焊錫方式，并能存儲(chǔ)多個(gè)檔案。

  2018-08-15
• 4N60器件的特性分析

  UTC 4N60是一個(gè)高電壓MOSFET ，并設(shè)計(jì)成有更好的特性，如快速開關(guān)時(shí)間，低門電荷，低通態(tài)電阻，并具有高耐用雪崩的特點(diǎn)。這個(gè)功率MOSFET通常用在高速開關(guān)電源中的應(yīng)用， PWM馬達(dá)控制，高高效率的DC -DC轉(zhuǎn)換器和電橋電路。

  2019-05-14
• 3N261 3N263電壓波形電路圖

  3N261 3N263電壓波形電路圖

  2009-07-01
• 3N261 3N263光耦器電路圖

  3N261 3N263光耦器電路圖

  2009-07-01
• 陸芯科技推出650V60A GEN3 IGBT單管

  陸芯科技正式推出650V60A GEN3的IGBT單管，產(chǎn)品型號(hào)為YGW60N65FMA1，產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench GEN3平臺(tái)TO247-3L封裝

  2024-07-14
• 揚(yáng)杰科技N60V SGT MOSFET產(chǎn)品介紹

  揚(yáng)杰科技于2024年推出了一系列用于汽車電子的N60V SGT MOSFET，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，可以支持更高頻率與動(dòng)態(tài)響應(yīng)。

  2025-04-01

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