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優(yōu)勢和特點
噪聲系數(shù): 2 dB
增益: 16 dB (40 GHz)
P1dB輸出功率: +6 dBm
電源電壓: +4V (87 mA)
裸片尺寸: 2.7 x 1.44 x 0.1 mm
產品詳情
HMC-ALH376是一款GaAs MMIC HEMT三級、自偏置、低噪聲放大器芯片,工作頻率范圍為35至45 GHz。該放大器提供16 dB增益、2 dB噪聲系數(shù)和+6 dBm輸出功率(1 dB增益壓縮),采用+4V單電源時功耗僅為87 mA。由于尺寸較小(3.9 mm2),這款自偏置LNA適合集成到混合組件或多芯片模塊(MCM)中。
應用
點對點無線電
點對多點無線電
測試設備和傳感器
軍事和太空
1 引言隨著工業(yè)技術的不斷發(fā)展,對單片機控制的要求也越來越高,需要單片機具備更高的反應速度和更強的數(shù)據(jù)處理能力,各種高性能的新型單片機得到了迅猛的發(fā)展和
世界半導體貿易協(xié)會(WSTS)給出了最新指引,預計2018年全球半導體實現(xiàn)營收4634億美元,同比增長12.4%,認為年銷售額將創(chuàng)新高。WSTS認為2018年所有區(qū)域市場上均有增長:美洲(14.0%),歐洲(13.4%),亞太地區(qū)(包括中國)(12.3...
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