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優(yōu)勢和特點
集成LO放大器: -4 dBm輸入
次諧波(x2) LO
高2LO/RF隔離: 40 dB
小尺寸: 1.32 x 0.97 x 0.1 mm
產(chǎn)品詳情
HMC264芯片是一款集成LO放大器的次諧波(x2) MMIC混頻器,可用作上變頻器或下變頻器。 該芯片利用GaAs PHEMT技術(shù),芯片整體面積為1.28mm2。 2LO至RF隔離性能出色,無需額外濾波。 LO放大器采用單偏置(+3V至+4V)雙級設(shè)計,僅需-4 dBm的標稱驅(qū)動。 所有數(shù)據(jù)均采用50 ?測試夾具中的芯片測得,該夾具通過直徑為0.025 mm (1 mil)、最小長度<0.31 mm (<12 mils)的焊線連接。
應(yīng)用
微波點對點無線電
LMDS?
SATCOM

HMC264-DIE電路圖
| 型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
|---|---|---|---|
| HMC264 | - | - | 立即購買 |
| HMC264-SX | - | - | 立即購買 |
| 標題 | 類型 | 大?。↘B) | 下載 |
|---|---|---|---|
| Mixer Application Note | 709 | 點擊下載 |
晶圓的主要加工方式為片加工和批加工,即同時加工1 片或多片晶圓。隨著半導體特征尺寸越來越小,加工及測量設(shè)備越來越先進,使得晶圓加工出現(xiàn)了新的數(shù)據(jù)特點。
本文介紹了 die-to-die 連接的幾種不同用例,以及在尋找用于 die-to-die 連接的高速 PHY IP 也可以使用基于有機基材的傳統(tǒng)低成本封裝。
Wafer、die、chip是半導體領(lǐng)域常見的術(shù)語,但是為什么單顆裸芯會被稱為die呢?
簡介 半導體行業(yè)面臨的一個主要挑戰(zhàn)是無法在量產(chǎn)階段早期發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品缺陷。如果將有缺陷的產(chǎn)品投放市場,將會給企業(yè)帶來巨大的經(jīng)濟和聲譽損失。對超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、網(wǎng)絡(luò)和 AI 應(yīng)用的高性能計算片上系統(tǒng) (SoC) 的設(shè)計開發(fā)者...
隨著移動通信技術(shù)的發(fā)展,系統(tǒng)越趨復(fù)雜,同時產(chǎn)品集成度要求也越來越高,系統(tǒng)級封裝(SiP)成為了最具潛力的候選方案之一,其將不同制程工藝節(jié)點的裸芯片Die集成在一個封裝里,在滿足器件高性能需求的同時,也減少了芯片設(shè)計公司的研發(fā)成本和時間。
如今,從數(shù)據(jù)中心到邊緣層,再到萬物智能網(wǎng)絡(luò)的深處,先進的Multi-Die系統(tǒng)實現(xiàn)了前所未有的性能水平。Multi-Die系統(tǒng)不是通用的單體架構(gòu)芯片,而是由一系列異構(gòu)芯片(也稱“小芯片”)組成,其中
三星B-Die DDR4內(nèi)存顆??胺Q一段行業(yè)傳奇,無論廠商還是高端玩家、發(fā)燒友都非常喜歡它,其出色的性能和超頻性備受青睞,幾乎成了高端內(nèi)存條的標配。
AMD不久前剛剛發(fā)布了代號Rome(羅馬)第二代EPYC霄龍?zhí)幚砥?,擁?nm工藝和Zen 2架構(gòu),而且采用了chiplet小芯片設(shè)計,集成最多八個CPU Die和一個IO Die設(shè)計非常獨特。
| HMC447 | HMC848 | HMC564-Die | H11N1M |
| HMC863 | HPM10 | HMC129ALC4 | H11L3M |
| HMC659-Die | HMC-C076 | HMC602 | HMC8410 |
| HV20320 | HMC6300 | HMC798 | HMC1113 |
| HMC5879 | H11L2M | HMC305S | HMC813-Die |