HMC441LP3

制造商：ADI/AD

產(chǎn)品信息

應(yīng)用案例更多案例

• HMC903LP3E GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器技術(shù)手冊

  HMC903LP3E是一款自偏置、砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶(pHEMT)、低噪聲放大器(LNA)，提供可選偏置控制來降低IDQ。采用16引腳、3 mm × 3 mm

  2025-03-21
• HMC902LP3E低噪聲放大器，采用SMT封裝技術(shù)手冊

  HMC902LP3E是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)低噪聲放大器(LNA)，通過可選偏置控制實現(xiàn)自偏置，以降低IDQ

  2025-03-21
• HMC566LP4E低噪聲放大器，采用SMT封裝，28-36GHz技術(shù)手冊

  及+24 dBm輸出IP3。 由于尺寸較小、采用+3V單電源供電和隔直RF I/O，該自偏置LNA非常適合混合和MCM組件應(yīng)用。 HMC566LP4E采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的封裝，無需線焊，可以使用高容量表貼制造技術(shù)。 HMC566LP4E還提供HMC566芯片形式。

  2025-03-20
• Hittite推出低噪聲可編程分頻器HMC794LP3E

  Hittite推出低噪聲可編程分頻器HMC794LP3E 近日，Hittite全新推出一款低噪聲可編程分頻器HMC794LP3E。該產(chǎn)品采用QFN SMT封裝，非常緊湊的封裝在一個3*3mm芯

  2010-03-25
• HMC311LP3 InGaP HBT增益模塊MMIC放大器技術(shù)手冊

  HMC311LP3(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)增益模塊MMIC SMT放大器，工作頻率范圍為DC至6 GHz。 此款3x3mm QFN封裝放大器可用作級聯(lián)50 Ohm

  2025-03-19
• Hittite寬動態(tài)范圍的功率檢波器HMC860LP3E

  Hittite寬動態(tài)范圍的功率檢波器HMC860LP3E 日前，全球知名的射頻微波IC廠商Hittite公司面向?qū)拵А?G、Winmax、自動化以及4G應(yīng)用領(lǐng)域推出了基于SiGe BiCMOS工藝的功率檢波器HMC71

  2010-02-10
• HMC263LP4E低噪聲放大器，采用SMT封裝，24-36GHz技術(shù)手冊

  HMC263LP4E是一款GaAs MMIC低噪聲放大器(LNA)，工作頻率范圍為24至36 GHz，采用無引腳SMT塑料封裝。 HMC263LP4E采用GaAs pHEMT工藝制造而成，采用3 V

  2025-03-19
• 基于單片微波集成電路的極低噪聲可編程分頻器HMC862LP3

  　　基于單片微波集成電路的極低噪聲可編程分頻器HMC862LP3E 和HMC905LP3E，非常適用于100MHz~15GHz 的測試儀器，實驗室系統(tǒng)及各種軍事應(yīng)用的信號生成模塊。 　　HMC862LP3E 和HMC90

  2010-08-26

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