購物車0制造商:ADI/AD
優(yōu)勢和特點
噪聲系數(shù): 2.5 dB (10 GHz)
增益: 13 dB
P1dB輸出功率: +14.5 dBm (10 GHz)
自偏置: +5V (66 mA)
50 Ω匹配輸入/輸出
25 mm2無引腳SMT封裝
產(chǎn)品詳情
HMC462LP5(E)是一款GaAs MMIC PHEMT低噪聲分布式放大器,采用無引腳5x5 mm表貼封裝,工作頻率范圍為2至20 GHz。 這款自偏置放大器提供13 dB增益、2.5至3.5 dB噪聲系數(shù)和+14.5 dBm輸出功率(1 dB增益壓縮),采用+5V單電源時功耗僅為66 mA。 HMC462LP5(E)在6 - 18 GHz范圍內(nèi)的增益平坦度非常出色,因而極為適合EW、ECM雷達和測試設備應用。 寬帶放大器I/O內(nèi)部匹配50 Ω,并經(jīng)過內(nèi)部隔直。
應用
電信基礎設施
微波無線電和VSAT
軍用EW、ECM和C3I
測試儀器儀表
光纖產(chǎn)品
HMC920LP5E是一款有源偏置控制器,可生成調(diào)節(jié)漏極電壓并主動調(diào)節(jié)外部放大器的柵極電壓,實現(xiàn)恒定偏置電流。 該器件可用來偏置任何工作在A類的增強型和耗盡型放大器,漏極電壓(VDRAIN)范圍為3V至15V,漏極電流(IDRAIN)最高500mA,...
點對點無線電 點對多點無線電 VSAT和SATCOM
HMC632LP5(E)是一款GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC632LP5(E)集成諧振器、負電阻器件、變?nèi)荻O管,并具有半頻和四分頻輸出。 由于振蕩器
HMC584LP5(E)是一款GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC584LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變?nèi)荻O管,可輸出半頻,并提供4分頻輸出。 由于
HMC583LP5(E)是一款GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC583LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變?nèi)荻O管,可輸出半頻,并提供4分頻輸出。 由于
探索HMC - APH462:15 - 27 GHz GaAs HEMT MMIC 1瓦功率放大器 在高頻電子設備的設計中,功率放大器的性能往往決定了整個系統(tǒng)的表現(xiàn)。今天,我們就來深入了解一款高性能
HMC582LP5(E)是一款GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC582LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變?nèi)荻O管,可輸出半頻,并提供4分頻輸出。 由于振蕩器的單芯片結構,該VCO的相位噪聲性能在不同的溫度、沖擊和工藝條件下均非常出色。
HMC534LP5(E)是一款GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC534LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變?nèi)荻O管,可輸出半頻,并提供4分頻輸出。 由于
| HMC725 | HMC1106 | HMC717A | HMC821 |
| HMC576LC3B | HMC981LP3E | HMC8119 | HMC1058 |
| HMC641ALP4E | HMC1197 | HMC600 | HMC499LC4 |
| HMC785 | HMC709 | HMC1032 | HMC6832 |
| HMC7054 | HV7801 | HMC491 | HMC475 |