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優(yōu)勢和特點
自動?xùn)艠O電壓調(diào)整((無需校準(zhǔn)))
電源電壓: 5V至16.5V
為增強型或耗盡型器件提供合適的偏置
可調(diào)漏極電流最高可達1.6 A
流入或流出柵極電流
可產(chǎn)生內(nèi)部負(fù)電壓
可以通過禁用來使用外部負(fù)供電軌
快速使能/禁用
觸發(fā)輸出用于菊花鏈配置
上電和掉電序列
內(nèi)置遲滯的過流/欠流報警
裸片尺寸: 1.4 x 2.26 x 0.25mm
產(chǎn)品詳情
HMC980是一款有源偏置控制器,可自動調(diào)整外部放大器的柵極電壓,從而實現(xiàn)恒定的偏置電流。 HMC980集成控制器,實現(xiàn)了安全的電源開/關(guān)、禁用/使能和自動供電序列,從而保證外部放大器的安全性。 它可用于為A級區(qū)(漏極電壓(VDRAIN)為5V至16.5V,漏極電流(IDRAIN)最大為1.6A)的增強和耗盡型放大器提供合適的偏置,提供了完整的偏置解決方案。
HMC980實現(xiàn)了出色的電壓、溫度、工藝偏置穩(wěn)定性,避免了由此引起的射頻性能下降通常所需的校準(zhǔn)過程。此處顯示的所有數(shù)據(jù)均采用合適的探頭測得。
應(yīng)用
微波無線電和VSAT
軍事和太空
測試儀器儀表
光纖調(diào)制器驅(qū)動器偏置
CATV激光驅(qū)動器偏置
蜂窩基站
無線基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備
DAF膠膜,全稱芯片粘接薄膜(Die Attach Film),又稱固晶膜或晶片黏結(jié)薄膜,是半導(dǎo)體封裝中的關(guān)鍵材料,用于實現(xiàn)芯片(Die)與基板(Substrate)或框架(Lead Frame)之間的高性能、高可靠性連接。這種連接直接決定了器件的機械強度、導(dǎo)熱性能和長期可靠性。
Hittite Microwave Corporation近期擴展了直流偏置控制芯片產(chǎn)品線,推出了HMC980管芯。HMC980是一款大電流的有源偏置控制管芯,是管理和控制射頻放大器偏置的理想選擇。HMC980可應(yīng)用于移動通信
PA的目標(biāo)漏極電流由Pin20的電阻設(shè)定。為了獲得穩(wěn)定的偏置電流,R10需要選用高精度以及溫度系數(shù)小的電阻元件。由于HMC980內(nèi)部的開關(guān)管本身具有阻抗,因而Vdd可以根據(jù)后級PA所需要的漏極電壓加上該開關(guān)管上消耗的電壓。
MOSAID Technologies今天宣布,他們已經(jīng)試產(chǎn)了全球第一顆采用驚人十六die封裝的 NAND閃存芯片,讓他們和諧地運行在了一個高性能通道內(nèi)。
SK海力士近日悄然在其產(chǎn)品目錄中增加了16Gb(2GB)容量的單Die DDR4內(nèi)存顆粒,不僅可以使用更少的芯片打造大容量內(nèi)存條,還為單條256GB內(nèi)存條鋪平了道路。
第一款即將于今年秋天推出的VR體驗是基于《無敵破壞王2:大鬧互聯(lián)網(wǎng)》改編而成,被命名為“Ralph Breaks VR”。而第二款體驗則是根據(jù)一部即將在2019年上映的尚未公開的漫威電影改編,目前還未公布確切信息。漫威將于2019年推...
三月份首次公開展示之后,三星電子今天宣布,已經(jīng)全球第一個開始量產(chǎn)基于16Gb(2GB) Die顆粒的新一代64GB DDR4 RDIMM內(nèi)存條,主要面向企業(yè)和云服務(wù)應(yīng)用。
在Intel第三代3D閃存固態(tài)盤我們可以知道的是,用上了 Host Memory Buffer (HMB)技術(shù),Intel的單Die升級到了512Gb,不需要整合DRAM做緩沖池。具體的信息將會CES 2018上才知曉。
| HMC1169 | HMC1044 | HMC-ALH310 | HMC438 |
| HMC342LC4 | HMC3653 | HMC-C038 | HMC441LM1 |
| HV9113 | HMC826 | HMC706 | HMC741 |
| HMC342-Die | HMC1119 | HMC820 | HV823 |
| HMC635LC4 | HMC722LC3C | HMC-C024 | HMC786 |