NVD5C464N

制造商：ON

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應(yīng)用案例更多案例

• 選型手冊(cè)：MOT5N65C 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  仁懋電子（MOT）推出的MOT5N65C是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開關(guān)速度、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓特性，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

  2025-10-30
• 選型手冊(cè)：MOT5N50C 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50C是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借500V耐壓、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

  2025-10-29
• HMC464LP5寬帶功率放大器，采用SMT封裝，2-20GHz技術(shù)手冊(cè)

  HMC464LP5(E)是一款GaAs MMIC PHEMT分布式功率放大器，采用5x5 mm無引腳表貼封裝，在2 GHz到20 GHz的頻率范圍內(nèi)工作。 該放大器提供14 dB增益、+30 dBm

  2025-03-20
• 小米AI眼鏡應(yīng)用芯導(dǎo)科技OVP IC產(chǎn)品P14C5N

  近日，小米AI眼鏡驚艷亮相，采用芯導(dǎo)科技超小封裝高性能OVP IC（選用型號(hào)為P14C5N），以及超小封裝ESD、超小封裝SBD等多款產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)超輕超薄與豐富功能的精妙結(jié)合。

  2025-07-03
• 深入解析 onsemi NVMFS5C645N：高性能N溝道MOSFET的卓越之選

  在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵組件，其性能對(duì)電路的整體表現(xiàn)起著決定性作用。今天，我們將深入探討 onsemi 推出的 NVMFS5C645N 這款 N 溝道功率單 MOSFET，詳細(xì)剖析其特性、參數(shù)以及應(yīng)用潛力。

  2025-12-03
• 高效N溝道MOSFET：NVMYS4D5N04C的技術(shù)解析與應(yīng)用洞察

  在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天，我們聚焦于ON Semiconductor推出的一款單N溝道功率MOSFET——NVMYS4D5N04C，深入剖析其特性、參數(shù)及應(yīng)用場(chǎng)景。

  2025-12-01
• 探索 onsemi NVMFS5C604N 單通道 N溝道 MOSFET 的卓越性能

  在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件，其性能的優(yōu)劣直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天，我們將深入探討 onsemi 推出的 NVMFS5C604N 單通道 N 溝道 MOSFET，這款產(chǎn)品在眾多方面展現(xiàn)出了令人矚目的特性。

  2025-11-28
• ?NVD5867NL 單N溝道功率MOSFET技術(shù)詳解

  安森美 (onsemi) NVD5867NL單N通道功率MOSFET的漏源電壓為60V，最大漏源導(dǎo)通電阻為39mΩ。該N通道MOSFET的R ~DS(on)~ 值低，可最大限度地減少導(dǎo)通損耗，并具有

  2025-11-21

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