描述 TPS53317A 器件是一款設(shè)計為主要用于 DDR 終端的集成場效應(yīng)晶體管 (FET) 同步降壓穩(wěn)壓器。 它能夠提供一個值為 ? VDDQ的經(jīng)穩(wěn)壓輸出，此輸出具有吸收電流和源電流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 運行模式，簡單易用，所需外部組件數(shù)較少并可提供快速瞬態(tài)響應(yīng)。 該器件還可用于其他電流要求高達(dá) 6A 的負(fù)載點 (POL) 穩(wěn)壓應(yīng)用。此外，該器件支持具有嚴(yán)格電壓調(diào)節(jié)功能的 6A 完整灌電流輸出。該器件具有兩種開關(guān)頻率設(shè)定值（600kHz 和 1MHz），可提供集成壓降支持、外部跟蹤功能、預(yù)偏置啟動、輸出軟放電、集成自舉開關(guān)、電源正常功能、V5IN 引腳欠壓鎖定 (UVLO) 保護(hù)功能，支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 電容。 該器件支持的輸入電壓最高可達(dá) 6V，而輸出電壓在 0.45V 至 2.0V 范圍內(nèi)可調(diào)。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引腳超薄四方扁平無引線 (VQFN) 封裝（綠色環(huán)保，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)并且無鉛），其中應(yīng)用了 TI 專有的集成 MOSFET 和封裝技術(shù)，其額定運行溫度范圍為 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 專有的集成金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和封裝技術(shù)支持 DDR 內(nèi)存終止，具有高達(dá) 6A 的持續(xù)輸出源電流或者吸收電流 外部跟蹤最少的外部組件數(shù)0.9V 至 6V 轉(zhuǎn)換電壓D-CAP+ 模式架構(gòu)支持所有多層片式陶瓷輸出電容器和 SP/POSCAP可選跳躍 (SKIP) 模式或者強(qiáng)制 CCM輕量級負(fù)載與重負(fù)載下的優(yōu)化效率可選 600kHz 或者1MHz 開關(guān)頻率可選過流限制 (OCL)過壓、過熱和斷續(xù)欠壓保護(hù)可調(diào)輸出電壓范圍為 0.45V 至 2V3.5mm × 4mm 20 引腳超薄四方扁平無引線 (VQFN) 封裝 應(yīng)用用于 DDR、DDR2、DDR3 和 DDR4 的存儲器終端穩(wěn)壓器 VTT 終止 用于 0.9V 至 6V 輸入電源軌的低電壓應(yīng)用All trademarks are the property of their respective owners.