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This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure andwell-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source-drain diode
High input impedance and high gain

VN0606 封裝圖
| 型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
|---|---|---|---|
| VN0606L-G-P003 | KOA | 貼片電阻 0805 270Ω ±5% 1/4W ±200ppm/℃ | 立即購買 |
| VN0606L-G | Maxim | IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC | 立即購買 |
| 標題 | 類型 | 大?。↘B) | 下載 |
|---|---|---|---|
| SY_0606開發(fā)板的特性簡 | 451 | 點擊下載 | |
| G0606M-I光電二極管 | 264 | 點擊下載 | |
| VN2700系列視頻編碼器 | RAR | 899 | 點擊下載 |
| 2N6661/VN88AFD pdf datasheet | RAR | 77 | 點擊下載 |
| VN0088A_v1.3數(shù)據(jù)手冊 | 410 | 點擊下載 | |
| G2S06510A 兼容C3D10060A C3D06065A | 1693 | 點擊下載 | |
| 伺服驅(qū)動器VN維護和檢查 | 171 | 點擊下載 | |
| VN2222 pdf | RAR | 45 | 點擊下載 |
合發(fā)布LTECat1bis模組雁飛VN200。聯(lián)通華盛副總經(jīng)理陳豐偉、紫光展銳CEO任奇?zhèn)ァV和通市場部VP朱濤出席發(fā)布儀式并致辭,共同見證產(chǎn)品發(fā)布。廣和通聯(lián)合中國聯(lián)通、紫光展
北匯基于基于Vector CANoe、VN5650、VT System和Technica公司升級版的Golden Device,推出“一站式”100&1000BASE-T1 IOP測試解決方案。
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| VN2450 | VN2460 | VP0109 | VN3205 |
| VP0109 | VN0550 | VN0606 | VN0300 |
| VP0106 | VN4012 | VN0104 | VP0550 |
| VN2406 | VN0106 | VP2450 | VN1206 |
| VP2110 | viper22a | VN0808 | VN2410 |