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描述:
該AT45DB161是一個(gè)只有2.7伏,串行接口閃存適合于-系TEM重新編程。其17301504位存儲器組織為4096頁528字節(jié)每個(gè)。除了在主存儲器中, AT45DB161還包含兩個(gè)每528字節(jié)的SRAM數(shù)據(jù)緩沖區(qū)。該緩沖器允許接收而數(shù)據(jù)在主存儲器頁面進(jìn)行重新編程。
特點(diǎn):
1、單2.7V - 3.6V電源
2、串行接口架構(gòu)
3、頁編程操作
- 單周期重新編程(擦除和編程)
- 4096頁( 528字節(jié)/頁)主內(nèi)存
4、可選頁和塊擦除操作
5、兩個(gè)528字節(jié)的SRAM數(shù)據(jù)緩沖區(qū) - 允許接收數(shù)據(jù)
而非易失性存儲器重新編程
6、內(nèi)部的計(jì)劃和控制的定時(shí)器
7、快速頁編程時(shí)間 - 7毫秒典型
8、120 μ?典型的頁面,以緩沖傳輸時(shí)間
9、低功耗
- 4毫安有效的讀電流典型
– 3μ一種CMOS待機(jī)電流典型
10、13 MHz的最大時(shí)鐘頻率
11、硬件數(shù)據(jù)保護(hù)功能
12、串行外設(shè)接口( SPI )兼容 - 模式0和3
13、CMOS和TTL兼容輸入和輸出
14、商用和工業(yè)溫度范圍

AT45DB161E-MHD-T電路圖

AT45DB161E-MHD-T 引腳圖

AT45DB161E-MHD-T 引腳圖

AT45DB161E-MHD-T 引腳圖

AT45DB161E-MHD-T 引腳圖

AT45DB161E-MHD-T 封裝圖

AT45DB161E-MHD-T 封裝圖

AT45DB161E-MHD-T 封裝圖

AT45DB161E-MHD-T 封裝圖
在我們的工作中,經(jīng)常會用到“dB”這個(gè)單位。比如插損,回波損耗,功率,我們經(jīng)常會用xx dB,或者xx dBm 來描述。
因此,該Dataflash存儲容量大,讀寫速度快,抗干擾能力強(qiáng),在行駛記錄儀中作存儲器是較好的選擇。本文給出了采用ATMEL的AT45DB161B來存儲數(shù)據(jù)的記錄儀設(shè)計(jì)方案。
為0.5 (LSB)、1、2、4和8。衰減精度非常高,典型步長誤差為±0.3 dB,IIP3為+45 dBm??刂平涌诩嫒軨MOS/TTL,可接受三線式串行輸入。HMC1019ALP4E具有用戶可選上電狀態(tài)和串行輸出端口,可級聯(lián)其他ADI控制組件。
HMC941ALP4E是一款寬帶5位GaAs IC數(shù)字衰減器,采用低成本無引腳表貼封裝。在0.1到33.0 GHz頻率下運(yùn)行,插入損耗低于4 dB典型值。對于15.5 dB的總衰減,衰減器位值為
HMC241ALP3E是一款通用型、非反射式、100 MHz至4 GHz單刀四擲(SP4T)開關(guān),采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。該開關(guān)提供43 dB(典型值)的高隔離度(2 GHz)、0.7 dB的低插入損耗(2 GHz)和片內(nèi)端接隔離端口。
...品和技術(shù)線,已經(jīng)連續(xù)25年不斷演進(jìn),持續(xù)創(chuàng)新。如今,RMHD為大眾的娛樂生活帶來
E-GaN電源芯片U8722EE的45W、30W同步搭配推薦
為±0.003%。 轉(zhuǎn)換器具有 具有85 dB的優(yōu)良共模信號抑制比的差分模擬輸入,使得 ADC161S626適合噪音環(huán)境。
| ADUM3480 | AD5383 | ADL5541 | ADR423 |
| ADF4169 | ADAU1977 | AD8148 | ADUC831 |
| ADSP-21262 | ADSP-2185N | ADC121S705 | AD7983 |
| AD8652 | ADS8363 | ADV7181C | AD8177 |
| ADM3202 | ADP1649 | ADM1176 | ADM823 |