優(yōu)勢和特點(diǎn)

  完整的16位數(shù)模轉(zhuǎn)換功能片內(nèi)輸出放大器片內(nèi)嵌入式齊納基準(zhǔn)電壓源

  積分線性誤差：±1 LSB

  15位單調(diào)性（在整個溫度范圍內(nèi)）

  微處理器兼容串行或字節(jié)輸入雙緩沖鎖存器快速(40 ns)寫入脈沖

  異步清零（至0 V）功能

  串行輸出引腳便于進(jìn)行菊花鏈配置

  單極性或雙極性輸出

  低突波：15 nV-s

  低THD+N：0.009%

產(chǎn)品詳情

AD660 DACPORT?是一款完整的16位單芯片數(shù)模轉(zhuǎn)換器，內(nèi)置一個片內(nèi)基準(zhǔn)電壓源、雙緩沖鎖存器和一個輸出放大器。它采用ADI公司BiMOS II工藝制造，可以在同一芯片上實現(xiàn)高精度雙極性線性電路與低功耗CMOS邏輯功能。

AD660架構(gòu)可確保15位單調(diào)性不隨時間和溫度而變化。積分非線性和微分非線性誤差均保持為±0.003%（最大值）。片內(nèi)輸出放大器可以使電壓輸出在10 μs達(dá)到1/2 LSB以內(nèi)的精度（滿量程步進(jìn)）。

AD660配有一個極其靈活的數(shù)字接口。數(shù)據(jù)可以以串行模式或雙8位字節(jié)格式載入AD660。通過具有雙重功能的兩個數(shù)字輸入引腳實現(xiàn)。串行模式輸入格式通過引腳進(jìn)行選擇，可以是MSB優(yōu)先或LSB優(yōu)先。利用串行輸出引腳，用戶能夠以菊花鏈形式連接數(shù)個AD660器件：將通過輸入鎖存器的數(shù)據(jù)移位至下一個DAC，從而使連接SIN、CS和LDAC所需的控制線路數(shù)量最少。字節(jié)模式輸入格式也很靈活，可以選擇先加載高字節(jié)數(shù)據(jù)還是低字節(jié)數(shù)據(jù)。雙緩沖鎖存器結(jié)構(gòu)不僅可以消除數(shù)據(jù)偏斜誤差，還能夠在多DAC系統(tǒng)中同時更新各DAC。

AD660分為五級。AN級和BN級的額定溫度范圍為?40°C至+85°C，采用24引腳300 mil塑料DIP封裝。AR級和BR級的額定溫度范圍也是?40°C至+85°C，采用24引腳SOIC封裝。SQ級采用24引腳300 mil CERDIP封裝，還提供符合MIL-STD-883標(biāo)準(zhǔn)的型號。請參考AD660SQ/883B軍用級數(shù)據(jù)手冊，了解相關(guān)的技術(shù)規(guī)格與測試條件。

產(chǎn)品特色1. AD660是一款完整的16位單芯片DAC，內(nèi)置一個基準(zhǔn)電壓源、雙緩沖鎖存器和一個輸出放大器。2. 內(nèi)部嵌入式齊納基準(zhǔn)電壓源經(jīng)激光調(diào)整至10.000 V，最大誤差為±0.1%，溫度漂移性能為±15 ppm/°C。該基準(zhǔn)電壓源可用于外部應(yīng)用。3. AD660的輸出范圍通過引腳編程，可以設(shè)置為0 V至10 V單極性輸出范圍或?10 V至+10 V雙極性輸出范圍。無需外部元件。4. AD660同時提供直流與交流特性。直流特性包括±1 LSB積分非線性(INL)誤差和±1 LSB微分非線性(DNL)誤差。交流特性包括0.009% THD + N和83 dB信噪比(SNR)。5. AD660的雙緩沖鎖存器不僅可以消除數(shù)據(jù)偏斜誤差，還能夠在多DAC應(yīng)用中同時更新各DAC。6. 無論DAC處于單極性模式還是雙極性模式，清零功能都能夠異步設(shè)置輸出為0 V。7. 滿量程步進(jìn)時，輸出放大器可以在10 μs內(nèi)達(dá)到±1/2 LSB精度，1 LSB步進(jìn)時在2.5 μs內(nèi)達(dá)到全溫度范圍。當(dāng)加載滿量程步進(jìn)時，輸出毛刺典型值為15 nV-s。

數(shù)據(jù)手冊，Rev. B，6/08