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DN3135 is a low threshold depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure andwell-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
High input impedance
Low input capacitance
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage

DN3135 封裝圖

DN3135 封裝圖
| 型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
|---|---|---|---|
| DN3135N8-G | - | - | 立即購買 |
| DN3135K1-G | - | - | 立即購買 |
| 標(biāo)題 | 類型 | 大?。↘B) | 下載 |
|---|---|---|---|
| FM3135 datasheet pdf ,Integrat | RAR | 265 | 點擊下載 |
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| DN487 - 基于超級電容的后備電源可防止RAID系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)丟失 | 386 | 點擊下載 | |
| DN502 - 面向精準(zhǔn)放大器應(yīng)用的匹配電阻器網(wǎng)絡(luò) | 335 | 點擊下載 | |
| DN508 - 60V、同步降壓型大電流LED驅(qū)動器 | 421 | 點擊下載 | |
| DN494低失真18位,1.6Msps ADC | 529 | 點擊下載 | |
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