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優(yōu)勢和特點
高Psat: +40.5 dBm
高小信號增益: 18.5 dB
瞬時帶寬: 10 MHz to 1.1 GHz
高PAE: 69%
電源電壓: Vdd = +28V (100 mA)
內(nèi)部預(yù)匹配: 簡單緊湊的外部調(diào)諧以實現(xiàn)最佳性能
32引腳5x5 SMT封裝: 25 mm2
產(chǎn)品詳情
HMC1099是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器,在瞬時帶寬范圍為0.01 GHz至1.1 GHz時提供>10 W功率、69% PAE,增益平坦度為±0.5 dB(典型值)。
HMC1099非常適合脈沖或連續(xù)波(CW)應(yīng)用,如無線基礎(chǔ)設(shè)施、雷達、公共移動無線電和通用放大。
HMC1099放大器采用低成本、表貼器件實現(xiàn)外部調(diào)諧并采用緊湊型LFCSP封裝。
多功能引腳名稱可能僅通過相關(guān)功能來引用。
應(yīng)用
延長公共移動無線電的電池工作壽命
針對無線基礎(chǔ)設(shè)施的功率放大器級
測試和測量設(shè)備
商用和軍用雷達
通用發(fā)射機放大
HMC284AMS8G和HMC284AMS8GE為低成本SPDT開關(guān),采用8引腳基極接地MSOP封裝。
HMC415LP3和HMC415LP3E是工作在4.9和5.9 GHz之間的高效GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)MMIC功率放大器。
HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF開關(guān),采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。
HMC773A采用經(jīng)過優(yōu)化的巴倫結(jié)構(gòu),提供出色的LO至RF及LO至IF抑制性能。該混頻器采用13 dBm或以上的LO驅(qū)動電平工作,具備出色的性能。HMC773A無需線焊,可以使用表貼制造技術(shù)。
HMC-ALH445是一款GaAs MMIC HEMT自偏置寬帶低噪聲放大器芯片,工作頻率范圍為18至40 GHz。 該放大器提供9 dB增益、3.9 dB噪聲系數(shù)(28 GHz)和+12 dBm
HMC1099是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器,在瞬時帶寬范圍為0.01 GHz至1.1 GHz時提供>10 W功率、69% PAE,增益平坦度為±0.5 dB(典型值)。 HMC1099非常適合脈沖或連續(xù)波(CW)應(yīng)用,如無線基礎(chǔ)設(shè)施、雷達、公共移動無線電和通用放大。
HMC1099PM5E 是一款氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器,可在 0.01 GHz 到 1.1 GHz 瞬時帶寬上實現(xiàn) >10 W 輸出,PAE 高達 69%,典型增益平坦度為 ±0.5 dB。
高速利器:HMC674LC3C/HMC674LP3E 9.3 GHz 鎖存比較器深度剖析 在高速電子設(shè)計領(lǐng)域,比較器作為關(guān)鍵元件,其性能直接影響著整個系統(tǒng)的速度與精度。今天我們就來深入探討一款高性能
| HMC7950 | HMC634-Die | HV9961 | HV9989 |
| HMC726 | HMC1084 | HMC963 | HMC-APH460 |
| HMC902LP3E | HMC395 | HMC341LC3B | HMC814-Die |
| HMC-C022 | HMC606LC5 | HMC713MS8 | HMC659-Die |
| HMC700 | HMC461 | HMC637ALP5 | HMC635-Die |