購(gòu)物車0制造商:ADI/AD
優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)
輸出功率: +15 dBm
寬輸入功率范圍: 0至+10 dBm
100 kHz SSB相位噪聲: -140 dBc/Hz
+5V(75 mA電源)
16 mm2無鉛QFN SMT封裝
產(chǎn)品詳情
HMC369LP3(E)是一款采用InGaP GaAs HBT技術(shù)的有源微型x2倍頻器,提供3x3 mm無引腳QFN表貼封裝。 功率輸出為+4 dBm(典型值),單電源電壓為+5V,在不同的輸入功率、溫度和電源電壓下變化很小。 在輸出信號(hào)電平方面,對(duì)無用基波和次諧波的抑制為30 dBc(典型值)。
100 kHz偏置時(shí)的低加性SSB相位噪聲為-142 dBc/Hz,有助于用戶保持良好的系統(tǒng)噪聲性能。 HMC369LP3(E)非常適合在LO倍頻器鏈路中使用,與傳統(tǒng)方法相比可以減少器件數(shù)量。 HMC369LP3(E)還用于OC-192時(shí)鐘恢復(fù)。 輸入端應(yīng)用10 GBPS數(shù)據(jù)可在輸出端產(chǎn)生-7 dBm時(shí)鐘音,雜散信號(hào)抑制為25 dB。
應(yīng)用
OC-192時(shí)鐘恢復(fù)
微波無線電和VSAT
軍用無線電、雷達(dá)和ECM
測(cè)試儀器儀表

HMC369電路圖
| 型號(hào) | 制造商 | 描述 | 購(gòu)買 |
|---|---|---|---|
| HMC369LP3ETR | - | - | 立即購(gòu)買 |
| HMC369LP3E | - | - | 立即購(gòu)買 |
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